Speaker
Description
В последние годы большое внимание уделяется изучению оптических и электронных свойств полу-проводников с нанофазами и нанопленками на поверхностных слоях [1 – 4]. Особый интерес представляют исследования, связанные с изменением свойств кремния при уменьшении его размеров до нескольких нано-метров, а также исследования, направленные на изменения свойств нанопленок Si при различных воздей-ствиях (адсорбция атомов, ионная и электронная бомбардировка, окисление). В частности, в [3] показано, что возникающий в результате химического взаимодействия Pd с Si при 100 С слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину 1 мкм. В данной работе изучены параметры энергетических зон ультра-тонких пленок PdSi/Si (111). Перед исследованиями поверхность Si (111) обезгаживали при Т = 1200 К в течении 4 – 5 часов в сочетании с кратковременными прогревами до Т = 1500 К при вакууме не хуже 10-7 Па. Затем на поверхность Si (111) напылялись атомы Pd с толщиной d ≈ 100 Å.
На рис. 1 приведена зависимость интенсивности проходящего света I от энергии h коэффициент проходящего света К для чистого Si (111) и Si (111) с пленкой PdSi толщиной ~ 220 Å. Видно, что в случае Si (111) до h = 1 эВ значение I практически не меняется, а в интервале h = 1 – 1,2 эВ резко уменьшается при-ближаясь к нулю. В случае пленки PdSi/Si (111) резкое уменьшение I наблюдается в интервале h = 0,6 – 0,8 эВ. Экстраполяция резко уменьшающейся части кривых к оси h дает значение ширины запрещенной зоны исследуемого образца. Видно, что для Si(111) Eg = 1,1 эВ, а для пленки PdSi ≈ 0,7 эВ.
Таким образом в работе впервые определены плотности состояния электронов валентной зоны и параметры энергетических зон нанопленок PdSi.
| Section | Energy and materials science (Section 2) |
|---|
