Speaker
Description
В данной научной работе мы провели обширное численное моделирование воздействия нейтронов различных энергий на полупроводниковые пленки InAs, используя программное обеспечение Geant4. Наше исследование охватывает весь спектр реакций, которые могут происходить в материале при облучении нейтронами, включая как упругие столкновения, так и неупругие процессы.
Важным аспектом нашей работы было детальное изучение влияния энергии нейтронов на реакции, происходящие в полупроводнике, а также изменения этих реакций в зависимости от толщины материала. Наши результаты включают в себя данные о различных типах вторичных частиц, которые образуются при взаимодействии нейтронов с полупроводником.
Этот исследовательский проект имеет важное значение для понимания физических процессов, происходящих в полупроводниках при облучении нейтронами, и может привести к разработке новых методов контроля и управления свойствами полупроводниковых материалов. Полученные данные будут использоваться для сравнения с результатами облучения образцов на реакторе с определенным нейтронным спектром, что позволит более точно прогнозировать электрофизические характеристики полупроводника и его поведение в различных условиях.
Кроме того, наше исследование может найти применение в различных областях, включая ядерную энергетику, электронику и медицинскую технику, аэрокосмическую отрасль, где понимание воздействия нейтронов на полупроводниковые материалы играет важную роль.
| Section | Energy and materials science (Section 2) |
|---|
